- 漳州鼎晟达自动化设备有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：其他
所在地区：福建省 漳州
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1961
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- 名称：SGMPH-15AAAG16B
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：亟需摆脱行业“尴尬” 与高压开关行业迎来的巨大市场机遇相比，其所面临的质量不过关、产品结构不合理、自主品牌缺失、管理不善等问题好似硬币的反面，如果这些瓶颈不能得到及时、有效地解决，那行业在未来的发展过程中犹如芒刺在背。 无独有偶，11月20日，由平高集团起草的《充气高压开关设备用铝合金外壳》国家标准经国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准发布，将于2013年2月1日起正式实施。
- 更新：2021-02-02 16:14:06
- 1962
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- 名称：SGDV3R8AE1A00000
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：近年来，随着产能过剩引起竞争加剧，原材料、人力成本的不断上升，我国高压开关行业如履薄冰，由此引发的价格下降、利润下滑让全行业走到一个“十字路口”。新形势下，智能电网与特高压的建设对开关的小型化、可靠性、自动化、智能化提出了新的要求，于是，高压开关行业整合与洗牌被推到改革的风口浪尖，业内普遍用“大浪淘沙”来形容高压开关目前所面临的尴尬处境。 “随着国家工业水平的不断提高，高压开关行业落后产能相对过
- 更新：2021-02-02 16:13:09
- 1963
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- 名称：SGDV-3R8AE1A000000300
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明： 据经济之声《交易实况》报道，国金证券行业分析师邢志刚13点15分做客《交易实况》，为大家解读电力设备投资机会，邢志刚认为轨道交通项目给整体电力设备带来1600亿市场。 目前大规模上马的轨道交通项目会对电力设备相关行业产生影响，其中的原因有哪些？ 邢志刚：从这次招标来看，中间有27个项目，目前总投资累计大概在8千亿左右，目前财政部负担了其中接近3000亿左右的投资，其他是来自于银行贷款还有包括
- 更新：2021-02-02 16:11:31
- 1964
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- 名称：UGJMED-10MOK12
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：中压发电机是未来大功率风力发电机设计中所必需的。然而，中压硅片对这类应用并不合适。正确的解决方案是基本单元的串联。 例如：额定输出电压为6.3kv的5mw风力发电机的输出电流为3×436 arms。经整流的变速发电机输出直流电压在1-10kv之间。 这些变化的电压是如何连接到电网的呢？ 每个风力发电机需要自己的变压器以连接到电网;电网电压将在20-30kv之间，这就是变压器的输出电
- 更新：2021-02-02 16:09:36
- 1965
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- 名称：001942
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：3 igbt模块的并联 igbt模块的并联运行解决方案如下： （1）一台三相逆变器用于整个功率的提供; 相脚（the phase teg）是由许多并联的igbt模块和一个强大的驱动器组成。每个igbt模块必须有自己的栅极电阻和对称直流环节和交流输出连接［1］。 （2）三相igbt stack，基本单元的硬并联。 整个系统是通过一台控制器及其pwm信号控制的。
- 更新：2021-02-02 16:08:20
- 1966
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- 名称：S64916-1-4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：0 引 言 半桥DC/DC变换器结构简单，控制方便，非常适用于中小功率场合。硬开关变换器高频时开关损耗很大，严重影响其效率。软开关技术可降低开关损耗和线路的EMI，提高效率和功率密度，提高开关频率从而减小变换器体积和重量。传统半桥变换器有两种控制方法，一种是对称控制，一种是不对称互补控制。本文主要分析实现半桥DC/DC变换器软开关的PWM控制策略。 1 控制型软开
- 更新：2021-02-02 16:07:11
- 1967
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- 名称：S26924-1-15-1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：1 不同阻断电压的igbt之间的效率对比 igbt在电力电子中使用的非常广泛。如今，有各种电压等级的igbt——广泛用于工业应用的1200v和1700vigbt以及3.3kv、4.5kv和6.5kv的中压igbt。那么哪种电压等级最适合大功率应用呢？当上述igbt被放置在可用的最大外壳中以得到逆变器时，可找到这个问题的答案。当然，模拟在最优工作条件可得到的可用功率更简单。 将上述igbt封装在
- 更新：2021-02-02 16:06:47
- 1968
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- 名称：DF9203006-C0智能工控
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：4 应用 scale-2型芯片组作为核心平台应用于新一代的igbt栅驱动器。相比于以前的芯片组，一个完整的即插即用igbt驱动器的所有组成部分的成本可以减少60%以上［3］。 图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心，栅级性能为20a/4w（左图），栅极性能为5.5a/0.8w的完全集成版（右图）。 图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心，
- 更新：2021-02-02 16:05:44
- 1969
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- 名称：CACRSRA5AB2ER
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：大型的集成dmos晶体管被一个根据工艺和温度变化的栅极-源极电压驱动。此外，关断输出级工作在栅极-源极电压低于5.5v的情况下时，源极导线电阻引起的电压降落同样会被补偿。只要有可能，有着减薄栅氧层的高电压输出电路都要在源极输入电压低于5.5v的条件下工作来增加单位面积的跨导，从而降低成本并减小信号的延迟。如果有可能，数字、模拟电路要配合双输出为5v的自备供电设备使用，这种设备已经完全被集成在asi
- 更新：2021-02-02 16:05:07
- 1970
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- 名称：CACR-SRA5AB2ER
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：为了提高igbt的抗短路能力，一般在开启过程和导通状态下将其栅极-发射极电压限制在+15v以下。由于近来的igbt的阈值栅压已经超过3v，所以在关断过程和断开状态下把栅极-发射极电压设置为0v就足够了。这对于直接把栅驱动器集成在功率模块中的智能功率模块（ipm）来说是一种惯例。与这些小型的ipm相比，现今常规的大型igbt模块，带有36个以上的并联igbt芯片，它的栅极互连线产生的电阻以及集电极-
- 更新：2021-02-02 16:03:51
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